文章导读：曝光机通常情况下按照使用的简便性划分为三类：全自动曝光机、半自动曝光机、手动曝光机 。接近式在现代光刻工艺中应用最为广泛。

曝光机通常情况下按照使用的简便性划分为三类：全自动曝光机、半自动曝光机、手动曝光机 。光刻技术是指用光来制作一个图案（工艺 ），在硅片表面层匀胶，随后将掩模版上的图案转移光刻胶上的全过程将器件或电路结构临时性“拷贝 ”到硅片上的全过程 。

光刻机又名：掩模对准曝光机、曝光系统 、光刻系统等。通常情况下的光刻工艺要经过硅片表面清洗、烘干 、涂底 、旋涂光刻胶 、软烘、对准、曝光、后烘、显影 、硬烘、刻蚀等工序 。

接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简、接触式,、根据施加力量的方式不同又分为：软接触、硬接触和真空接触。

1. 软接触就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面；
2. 硬接触是将基片通过一个气压（氮气），往上顶,使之与掩膜接触；
3. 真空接触是在掩膜和基片中间抽气，使之更加好的贴合（想一想把被子抽真空放置的方式）
4. 软<硬<真空 接触的越紧密，分辨率越高，当然接触的越紧密，掩膜和材料的损伤就越大。

接近式曝光（Proximity Printing）：掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙（Gap），Gap大约为0～200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用；掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用最为广泛。

投影式曝光（Projection Printing）：在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率，掩膜板的制作更加容易，掩膜板上的缺陷影响减小。